Zusammenarbeit und Innovation

Die Kosten für Forschung und Entwicklung der innovativen 22nm Technologie und kleineren Strukturgrößen wird mit über einer Milliarde US-Dollar beziffert. GLOBALFOUNDRIES steht für das gemeinsame Erreichen von Innovationen durch gemeinsame Investitionen mit weltweiten Partnern.

Unsere Partnerschaften umfassen sowohl die Zusammenarbeit im frühen Forschungs- und Entwicklungsstadium als auch die Evaluierung von fertigungsreifen Prozesstechnologien. Diese ermöglichen unseren Kunden einen beschleunigten Zugang zu den modernsten Technologien und Fertigungsprozessen.

Gemeinsam mit den Partnern der Joint Development Alliance in East Fishkill im US-Bundesstaat New York arbeiten wir kontinuierlich an der Verbesserung von Leistung und Effizienz von Transistoren und Leiterbahnen.
Diese Allianz umfasst Unternehmen wie Freescale, IBM, Infineon, NEC, ST Microelectronics, Samsung und Toshiba. GLOBALFOUNDRIES und seine Entwicklungspartner bieten eine große Zahl von beeindruckenden Innovationen, darunter die High-K Metal Gate-Technologie für 32/28nm-Knoten.

Weitere Meilensteine sind:

• Errichtung der ersten komplett für den Einsatz von Kupfer als Leiterbahnmaterial optimierten Fabrik
• Erster Mikroprozessorhersteller mit Immersionslithografiegeräten in der Fertigung
• Erster Hersteller mit erweiterter Stresstechnologie auf Transistorebene
• Erster Hersteller mit Einsatz von low-K Materialen in der Volumenfertigung
• Erster Hersteller mit einer „full field“ Demonstration von Extreme Ultra Violet (EUV) Lithografie durch funktionierende Testchips